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对此，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。

在HBM3E及此前世代，已成为其供应链战略的必然选择。CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，还能有效分散地缘与产能风险，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。减少对单一代工厂的依赖。在HBM4方案中，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。SK海力士不仅有望降低单位成本、

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，然而，

若英特尔成功加入供应链，增强价格谈判能力，建立多供应商体系、以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。公司已转由台积电代工，

业内分析指出，