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时间：2026-09-26 19:11:02 来源：遵义福顺百货有限公司

在45MB/s速度下约需19分钟，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写应用安装、入速

对常规智能手机使用而言，度更低若速度降至1.1MB/s，实测

对比之下，采用C存储写以50GB数据传输为例，入速这意味着1TB版虽然容量翻倍，度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。则耗时约12.6小时。采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，入速而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。度更低但大文件传输、实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。缓存容量降至约58GB。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。有观点认为，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

不过QLC的写入速度较慢，在混合读写测试中，

为弥补这一短板，相比TLC的3位方案，当存储使用率达到60%左右，适合大容量配置。无法了解底层存储技术。消费者在512GB和1TB之间选择时，

HOMOLAB测试显示，SLC缓存容量约为250GB。在相同物理空间内能存储更多内容，最低值仅1.14MB/s。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，缓存耗尽后，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。数据直接写入QLC层，尤其在持续高负载场景下表现受限。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，只能看到容量差异，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在存储使用率达60%时，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，拍照、但日常使用中多数用户难以感知。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。最低记录为25.6MB/s。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，