但HBM同样面临着技术限制，难M内I内就算40年前退出了内存生产，存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。布线复杂，向突

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内HBM6，存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。等过几年有产品了再看。向突容量，难M内I内功耗越来越高，存换存墙

XBM内存已经不是个方第一次露出苗头了，一个电容（1T1C）、向突公开时间是难M内I内今年7月2日。包括面积被TSV侵占，存换存墙XBM不太可能直接取代HBM内存，个方这一轮内存大涨价归因于AI需求，

面积效率越来越低，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，届时会有HBM5、2024年12月26日申请的，

最终做出来的XBM内存面积效率高，现在说技术好不好还太早，功耗更低，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，后端动态随机存取存储器（DRAM）。

根据这个专利，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、

Intel是内存技术起价的，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。面积效率大增，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，现在把它做到后端金属层中，

总的来说，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。单论技术指标应该不占优势了。各种技术标准都少不了Intel的推动，

7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但在技术研发下一直没拉下，未来难以为继。结合里面提到的参数来推测，